三極管和晶閘管有什么區(qū)別？

晶體管的原名是半導體三極管，是一種半導體器件。因為有兩種載流子，自由電子和空空穴，參與晶體管的傳導，它們也被稱為雙極晶體管。晶體管的內(nèi)部包含兩個PN結(jié)，外部通常有三個引出電極。圖1中示出了晶體管的幾種常見形狀，圖2是晶體管的電氣圖形符號。晶體管廣泛用于放大和轉(zhuǎn)換電信號。與晶閘管相比，它主要有以下區(qū)別:

(1)晶體管可以在從全導通到全截止的范圍內(nèi)進行無級調(diào)節(jié)。

(2)晶閘管觸發(fā)導通后，控制信號被切斷，晶閘管在一定時間內(nèi)仍能保持導通狀態(tài)；并且在控制信號斷電后，晶體管立即關(guān)斷。

(3)與晶閘管相比，晶體管具有更短的開關(guān)時間，更好的動態(tài)性能，可以在更高的工作頻率下工作。

功率晶體管可以用作開關(guān)器件和放大器件。在與晶閘管的競爭中，它們更適合開關(guān)領(lǐng)域。功率晶體管由于其自關(guān)斷能力和高工作頻率而被廣泛用于斬波器和逆變器。

三極管和晶閘管有什么區(qū)別

 1.不同的定義

晶體管，全稱是半導體三極管，也稱為雙極晶體管和晶體管，是一種控制電流的半導體器件。

晶閘管是晶閘管的縮寫，也稱為可控硅整流器，以前稱為可控硅整流器。

2.不同的原則

晶體管:

晶體三極管(以下簡稱三極管)根據(jù)材料分為兩種:鍺管和硅管。每一個都有氮磷氮磷結(jié)構(gòu)，但硅氮磷氮磷鍺三氧化物是最常用的(其中n在英語中表示否定)。n型半導體向高純硅中添加磷，以取代一些硅原子。

在電壓刺激下，產(chǎn)生自由電子來導電，而p表示正，這意味著添加硼而不是硅來產(chǎn)生大量空的空穴來導電)。兩者的工作原理相同，只是電源極性不同。下面只介紹NPN硅管的電流放大原理。對于NPN管，它由兩個N型半導體組成，中間夾有一個P型半導體。

在發(fā)射極區(qū)和基極區(qū)之間形成的PN結(jié)稱為發(fā)射極結(jié)，而在集電極區(qū)和基極區(qū)之間形成的PN結(jié)稱為集電極結(jié)，三個引線分別稱為發(fā)射極e(發(fā)射極)、基極b(基極)和集電極c(集電極)。

當點B的電勢比點E的電勢高幾伏時，發(fā)射極結(jié)處于正偏置狀態(tài)，而當點C的電勢比點B的電勢高幾伏時，集電極結(jié)處于反向偏置狀態(tài)，集電極電源Ec高于基極電源Eb。

晶閘管:晶閘管運行時，其陽極(A)和陰極(K)與電源和負載相連，構(gòu)成晶閘管的主電路。晶閘管的柵極G和陰極K與控制晶閘管的裝置相連，構(gòu)成晶閘管的控制電路。

3.不同的功能

晶體管:晶體管具有電流放大的功能。其實質(zhì)是三極管可以控制集電極電流的較大變化和基極電流的較小變化。這是三極管最基本也是最重要的特性。

δIc/δIb之比稱為晶體管的電流放大系數(shù)，用符號β表示。對于三極管來說，電流放大系數(shù)是一個固定值，但是當三極管工作時，它也會隨著極性電流的變化而變化。

晶閘管:晶閘管是PNPN四層半導體結(jié)構(gòu)，有三個電極:陽極、陰極和控制極。晶閘管具有硅整流器件的特性，可以在高壓大電流條件下工作，并且其工作過程可以控制。它們廣泛應(yīng)用于可控整流器、交流調(diào)壓、非接觸式電子開關(guān)、逆變器、變頻等電子電路中。