反激式電源開關過程分析

反激式電源開關過程分析 

 許多人對這個話題進行了分析，但是一些話有時會給人們帶來更多的疑惑和困惑。參考一些論文和分析，表達我個人對這個問題的分析可能與設計的分析有一些錯誤，但提出一個每個人都能理解的問題總比試圖理解一些生澀的詞語要好(在這里要說明一點，分析和說明可能不正確)。我們分析的主要問題是Q1管在關閉期間的響應。至于設計電路來減少這種響應的影響，有許多方法。就我個人而言，我認為我將通過結合價值和影響來做一個小話題。在關斷過程中，如果不考慮增加一個電路來抑制瞬態(tài)過程，我們看到的波形將不是理想的。如下圖所示，將上次編寫的改進的電力變壓器模型2帶入其中進行分析:Mos管關斷前的穩(wěn)態(tài)分析:能量存儲在勵磁電感和漏電感中。同時，由于二極管的結電容，次級電容上有一定的電壓，次級漏電感中沒有電流。然后，我們關閉Mos管，看下圖:讓我們整理一下上面的過程:

1。在金屬氧化物半導體管關閉后，初級電流(勵磁電感、初級漏電感和電源的綜合效應)對金屬氧化物半導體輸出電容、初級電容、初級級之間的電容、次級電容、次級二極管電容和負載電容進行充電，開始放電(你可以理解這一點，因為壓差很小，電容放電也可以理解為反向充電)。Mos晶體管DS的端電壓正在上升(可以認為是上述分布參數(shù)之間的諧振，該電路的Q非常小)，此時的電壓可以認為是線性上升。請注意，此時次級二極管不導通，因為DS的端電壓相對較小。

2.當DS的端電壓上升時，次級電壓達到輸出電壓(這是客觀的，因為我們要保證輸出電壓的穩(wěn)定性)+整流管的電壓之后，如果沒有次級漏電感，次級電路就會導通，所以DS的端電壓會繼續(xù)上升。當次級漏電感的影響被克服時，次級電流開始上升。此時，由于阻抗路徑較小，從主要角度來看，激勵電感的能量將會降低。

3.此時的決定性因素是初級漏電感，如果沒有小阻抗路徑，初級漏電感就無法耦合到次級。因此，初級漏電感與Mos管的輸出電容和初級電容諧振，電壓形成多次振蕩(如果沒有吸收和箝位電路，這一過程將持續(xù)很長時間)。初級漏電流是初級電流的一部分，因此初級漏電流的減少伴隨著次級電流的增加。如果沒有箝位電路，電流的下降會非?？?。如果增加箝位電路，過程將延長，電壓應力將降低。似乎空間相對較大。我計劃將計算和模擬驗證放在另一篇博文中。今天和周日我會好好休息半天，晚上看球。我的兒媳有一個政治任務，那就是游戲計算。數(shù)數(shù)是相當多的事情。